[21p-A105-1~9] 15.3 III-V-group epitaxial crystals, Fundamentals of epitaxy

[21p-A105-5] Density Control of InAs Quantum Dots by Submonolayer Growth

〇Nao Hiratsuka¹, Ronel Roca¹, Itaru Kamiya¹ (1.Toyota Tech. Inst.)

Keywords:InAs, SML, MBE

InAs QDの量子ビットへの応用に向けてQD間の相互作用が発生しない、QDの低密度化を目指す必要がある。SML成長はQD形成において低密度化に成功した報告がある一方で、GaAsスペーサー層とInAs層の堆積量、層数等の複数のパラメータが表面構造に影響するため、機構解明と共に制御の指針を明らかにする必要がある。今回はQDのSML成長でInAs積層量調節による低密度化への検討を行った。