[21p-A105-1~9] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[21p-A105-5] サブモノレイヤー成長法によるInAs量子ドットの密度制御

〇平墳 直¹、ロカ ロネル¹、神谷 格¹ (1.豊田大工)

キーワード：InAs、SML、MBE

InAs QDの量子ビットへの応用に向けてQD間の相互作用が発生しない、QDの低密度化を目指す必要がある。SML成長はQD形成において低密度化に成功した報告がある一方で、GaAsスペーサー層とInAs層の堆積量、層数等の複数のパラメータが表面構造に影響するため、機構解明と共に制御の指針を明らかにする必要がある。今回はQDのSML成長でInAs積層量調節による低密度化への検討を行った。