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一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[21p-A105-1~9] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

2022年9月21日(水) 13:00 〜 15:30 A105 (A105)

間野高明(物材機構)、石川史太郎(北大)

14:30 〜 14:45

[21p-A105-6] InAs量子ドット/GaAs(001)上GaAsキャッピングのAs fluxの影響

〇若原夏希¹、ロカロネル¹、神谷格¹ (1.豊田工大)

キーワード：InAs 量子ドット、GaAsキャッピング、ヒ素フラックス