[21p-A106-1~18] 15.5 Group IV crystals and alloys

△ [21p-A106-18] Helicity dependent photoelectric conversion in Ge nanosheet on Al grown by segregation method

〇Taiki Nishijima¹, Keigo Matsushita², Ei Shigematsu¹, Ryo Ohshima¹, Akio Ohta², Yuichiro Ando¹, Masashi Shiraishi¹ (1.Kyoto Univ., 2.Nagoya Univ.)

Keywords:photoelectric conversion, postgraphene, germanene

我々は14族元素で構成される「14族ポストグラフェン材料」に注目している．本研究では特に14族ポストグラフェンの主要な合成方法である「偏析法」によってアルミニウム(Al)表面に析出した極薄ゲルマニウム（Ge）ナノシートに着目し，スピン軌道相互作用（SOC）に起因する効果の測定を行った．Geナノシートに対して円偏光を照射することにより，Geナノシート内のスピン状態を変調し，SOCに起因した光電変換特性を調査した．その結果，入射光の偏光状態に依存した光電流が観測された．解析の結果，その中でも円偏光のヘリシティに起因する光電流が最も大きな寄与を持っていた．このようなヘリシティ依存の光電流はTMD等で報告があり，新奇2次元物質におけるSOC由来の特異な光学応答を示唆する結果を得た可能性が高い．講演ではより詳細な結果を報告する．