PDF ダウンロード スケジュール 18 いいね! 1 コメント (0) 14:15 〜 14:30 [21p-A106-6] Ge-on-Si(111)上に成長した歪みSiGe層の電気伝導特性に与えるクラック発生の影響 〇市川 大悟1、我妻 勇哉1、山田 道洋2、浜屋 宏平2,3、澤野 憲太郎1 (1.東京都市大学、2.阪大基礎工CSNR、3.阪大OTRI) キーワード:SiGe/Ge、クラック、移動度