[21p-A106-1~18] 15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶

[21p-A106-6] Ge-on-Si(111)上に成長した歪みSiGe層の電気伝導特性に与えるクラック発生の影響

〇市川 大悟¹、我妻 勇哉¹、山田 道洋²、浜屋 宏平^2,3、澤野 憲太郎¹ (1.東京都市大学、2.阪大基礎工CSNR、3.阪大OTRI)

キーワード：SiGe/Ge、クラック、移動度