[21p-A205-1~21] 3.14 シリコンフォトニクス・集積フォトニクス（旧3.15）

[21p-A205-7] マッハ・ツェンダ型シリコン光変調器の個別アーム吸収損失測定手法に対するアーム間分岐比ずれの影響検討

〇村尾 覚志¹、牛田 淳¹、高橋 博之¹、徳島 正敏¹、椎名 明美¹、堀川 剛¹ (1.PETRA)

キーワード：シリコンフォトニクス、光変調器、ウェーハレベルテスト

シリコン光変調器のマッハ・ツェンダアームにおける位相シフタでは，プロセスばらつきに起因して導波路寸法や不純物密度分布が変化する．これまで，変調効率と吸収損失を各アーム個別に測定する方法を確立することで，チャープパラメータを算出できることを示してきた．ここでは，提案している吸収損失の個別アーム測定手法について詳細を示すとともに，アーム間のパワー分岐比ずれが生じた場合の本手法への影響を明らかにする．