[21p-A306-1~16] 11.4 Analog applications and their related technologies

[21p-A306-9] Effect of surface activated bonding using Xe on reducing intermediate layer

〇(M1)Atsushi Kudo¹, Masahisa Fujino², Takashi Matsumae², Hiroshi Nakagawa², Katsuya Kikuchi², Toru Taino¹, Yuta Takahashi¹ (1.Saitama Univ., 2.AIST)

Keywords:Superconductivity, Surface activated bonding, Intermediate layer

超伝導デバイスの3次元実装を実現するため、我々は表面活性化接合(SAB)に注目し、特に超伝導デバイスで一般的に使用されるNb等をターゲットに直接接合を行っている。一般的なSABではArの高速原子ビーム(FAB)の照射により接合を行っているが、接合界面に中間層が発生することが報告されている。そこで、FAB照射に用いる原子をArからXeに変更することで、中間層の発生に対しどのような影響が現れるかを調査した。