[21p-A306-1~16] 11.4 アナログ応用および関連技術

[21p-A306-9] Xeを用いた表面活性化接合の中間層抑制に対する効果

〇(M1)工藤 篤¹、藤野 真久²、松前 貴司²、仲川 博²、菊地 克弥²、田井野 徹¹、高橋 悠太¹ (1.埼玉大院、2.産総研)

キーワード：超伝導、表面活性化接合、中間層

超伝導デバイスの3次元実装を実現するため、我々は表面活性化接合(SAB)に注目し、特に超伝導デバイスで一般的に使用されるNb等をターゲットに直接接合を行っている。一般的なSABではArの高速原子ビーム(FAB)の照射により接合を行っているが、接合界面に中間層が発生することが報告されている。そこで、FAB照射に用いる原子をArからXeに変更することで、中間層の発生に対しどのような影響が現れるかを調査した。