[21p-B101-1~8] 【現地会場のみでの開催】ペロブスカイトによる次世代材料の創成と応用展開

△ [21p-B101-3] 立方晶CsPbI₃量子ドットの相安定化および高性能LEDの開発

〇江部 日南子¹、鈴木 陸央²、隅越 俊介²、上野 瑞穂²、森山 玲音²、千葉 貴之²、城戸 淳二² (1.山形大理、2.山形大院有機)

キーワード：ペロブスカイト量子ドット、相安定化、発光デバイス

本研究は、QDの粒径制御およびヨウ化グアニジウム(GAI)置換処理により、優れた相安定性を有するCsPbI₃ QDを開発し、高性能LEDの開発を試みた。粒径制御されたCsPbI₃ QDは、粒径の減少に伴い表面エネルギーが増大し、立方晶構造を示した。また、GAI置換したCsPbI₃ QDにおいて、GA-QD間の複数の水素結合の形成し、発光量子収率および大気安定性の向上に成功した。さらに、GAI置換CsPbI₃ QD-LEDにおいて、高効率・長寿命化を達成し、有用性を明らかにした。