[21p-B201-1~16] 15.4 III-V族窒化物結晶

△ [21p-B201-11] 窒素極性GaN基板の低接触抵抗電極の形成と縦伝導GaN系量子殻デバイスの作製

〇伊井 詩織¹、神野 幸美¹、勝呂 紗衣¹、中山 奈々美¹、山村 志織¹、髙橋 美月¹、山中 優輝¹、島 綾香¹、稲葉 颯磨¹、上山 智¹、竹内 哲也¹、岩谷 素顕¹ (1.名城大理工)

キーワード：ナノワイヤ、量子殻活性層、窒素極性GaN

デバイスの高出力化を考えると縦伝導型で動作させ、放熱性に優れた実装が要求される。本研究ではカソード電極の接触比抵抗の低減について検討し、最適化した電極を用いて縦伝導デバイスを作製した。結果はGaN基板裏面研磨後、ICP装置によって絶縁性ダメージ層除去でき、接触比抵抗率3×10^-6 Ωcm²のTi/Pt/Auが最適な電極であると結論付けた。また縦伝導による電圧の低減が確認された。