[21p-B201-1~16] 15.4 III-V族窒化物結晶

[21p-B201-12] 炭素フリー原料を用いてサファイア基板にCVD成長させた多型を含むhBN薄膜における間接遷移励起子の発光ダイナミクス

〇秩父 重英¹、嶋 紘平¹、菊地 清¹、梅原 直己²、瀧口 佳祐³、石谷 善博³、原 和彦² (1.東北大多元研、2.静大電子研、3.千葉大院･工)

キーワード：半導体、2次元層積層、hBN

六方晶BNは間接遷移型半導体でありながら室温で禁制帯幅(約6 eV)に相当する215 nm付近の高効率発光を呈すため深紫外線発光材料として期待できる。静大・原らが炭素フリー原料を用いてCVD成長させた、グラファイト状のBernal相がごく少量混入したhBN薄膜における間接遷移励起子の発光ダイナミクスに関して議論する（6/6/2022 APL Featured Article内容）。