[21p-B203-1~20] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

△ [21p-B203-1] ミストCVD法によるβ-(Al_xGa_1-x)₂O₃/β-(In_xGa_1-x)₂O₃/β-Ga₂O₃薄膜のヘテロエピタキシャル成長

〇金子 真大¹、西中 浩之¹、鐘ケ江 一孝¹、吉本 昌広¹ (1.京都工繊大)

キーワード：酸化ガリウム、ミストCVD法、ワイドバンドギャップ

酸化ガリウム(Ga₂O₃)は約4.8 eVと非常に大きなバンドギャップを有しているため、次世代パワー半導体材料として注目されている。本研究では(010) β-Ga₂O_3­基板上へβ-(Al_xGa_1-x)₂O₃/β-(In_xGa_1-x)₂O₃ヘテロエピタキシャル成長を試み、その構造解析などを行った。