[21p-B203-1~20] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

△ [21p-B203-3] Epitaxial growth of β-Ga₂O₃ thin films with in-plane compressive strain

〇Kazuki koreishi¹, Takuto Soma¹, Motohisa Kado², Akira Ohtomo¹ (1.Tokyo Tech., 2.Toyota Motor Coparation)

Keywords:Gallium Oxide, Epitaxial Thin Film, First Principle Calculation

β-Ga₂O₃はこれまで数多くのエピタキシャル成長例が報告されてきたが、その電子物性を格子歪みにより制御した例は未だ存在しない。そこで本研究では、格子定数の異なるバッファ層上にβ-Ga₂O₃薄膜を成長させることで面内圧縮歪みを印加し、その物性評価を行った。