The 83rd JSAP Autumn Meeting 2022

Presentation information

Oral presentation

21 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices" » 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

[21p-B203-1~20] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

Wed. Sep 21, 2022 1:15 PM - 6:45 PM B203 (B203)

Kazuyuki Uno(Wakayama Univ.), Kosaku Shimizu(Nihon Univ.)

2:00 PM - 2:15 PM

[21p-B203-4] Structural and optical properties of oriented β-Ga2O3 thin films on oxide-buffered polymer substrates by excimer laser annealing

〇(M2)Ryoya Kai1, Takumi Numata1, Tomoaki Oga1, Satoru Kaneko2,1, Akifumi Matsuda1, Mamoru Yoshimoto1 (1.Tokyo Tech, 2.KISTEC)

Keywords:gallium oxide, excimer laser annealing, flexible device

ワイドギャップ半導体であるβ-Ga2O3薄膜をポリマー基板上に作製することで、フレキシブルデバイスとしての応用が考えられる。エキシマレーザーアニール(ELA)によるβ-Ga2O3薄膜の室温結晶化プロセスは、従来の高温成膜や電気炉による従来の熱処理と比べて、ポリマー基板の損傷を抑えた結晶化が期待できる。本研究ではELAで作製した、ポリマー基板上β-Ga2O3高配向膜の構造・光学特性について検討した。