[21p-B203-1~20] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

△ [21p-B203-4] Structural and optical properties of oriented β-Ga₂O₃ thin films on oxide-buffered polymer substrates by excimer laser annealing

〇(M2)Ryoya Kai¹, Takumi Numata¹, Tomoaki Oga¹, Satoru Kaneko^2,1, Akifumi Matsuda¹, Mamoru Yoshimoto¹ (1.Tokyo Tech, 2.KISTEC)

Keywords:gallium oxide, excimer laser annealing, flexible device

ワイドギャップ半導体であるβ-Ga₂O₃薄膜をポリマー基板上に作製することで、フレキシブルデバイスとしての応用が考えられる。エキシマレーザーアニール(ELA)によるβ-Ga₂O₃薄膜の室温結晶化プロセスは、従来の高温成膜や電気炉による従来の熱処理と比べて、ポリマー基板の損傷を抑えた結晶化が期待できる。本研究ではELAで作製した、ポリマー基板上β-Ga₂O₃高配向膜の構造・光学特性について検討した。