[21p-B203-1~20] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

△ [21p-B203-5] Epitaxial growth of δ-Ga₂O₃ using β-Fe₂O₃ buffer layers by mist CVD

〇Takahiro Kato¹, HIroyuki Nishinaka¹, Kazuki Shimazoe¹, Masahiro Yoshimoto¹, Kazutaka kanegae¹ (1.Kyoto Inst. Tech.)

Keywords:Ga2O3, mistCVD

同じビックスバイト構造でかつδ-Ga₂O₃と小さな格子不整合を持つβ-Fe₂O₃をバッファ層として利用することで、ミストCVD法により今まで存在が怪しまれていたδ-Ga₂O₃薄膜のエピタキシャル成長に成功し、その存在を実証した。