[21p-B203-1~20] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

△ [21p-B203-6] ミストCVD法によるGeドープβ-Ga₂O₃薄膜のホモエピタキシャル成長

〇小川 典真¹、西中 浩之¹、島添 和樹¹、鐘ケ江 一孝¹、吉本 昌広¹ (1.京工繊大工)

キーワード：酸化ガリウム、ミストCVD、エピタキシャル成長

β-Ga₂O₃は次世代パワーデバイス材料とされ、GeはGaとイオン半径が近く、活性化率が高いため有望なn型ドーパントとされている。そこでミストCVD法によるβ-Ga₂O₃の導電性制御のためのGeドープを検討したが、ミストCVDは水溶性の原料が必要で、多くのGe化合物は非水溶性のため困難であった。本研究では新たに見出した水溶性のGeを使用し、ミストCVD法によるβ-Ga₂O₃のGeドープに成功した。