[21p-B203-1~20] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

△ [21p-B203-6] Homoepitaxial growth of Ge-doped β-Ga₂O₃ thin films by mist CVD

〇Temma Ogawa¹, Hiroyuki Nishinaka¹, Kazuki Shimazoe¹, Kazutaka Kanegae¹, Masahiro Yoshimoto¹ (1.Kyokousen Univ.)

Keywords:gallium oxide, mist CVD, epitaxial growth

β-Ga₂O₃は次世代パワーデバイス材料とされ、GeはGaとイオン半径が近く、活性化率が高いため有望なn型ドーパントとされている。そこでミストCVD法によるβ-Ga₂O₃の導電性制御のためのGeドープを検討したが、ミストCVDは水溶性の原料が必要で、多くのGe化合物は非水溶性のため困難であった。本研究では新たに見出した水溶性のGeを使用し、ミストCVD法によるβ-Ga₂O₃のGeドープに成功した。