[21p-B203-1~20] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

△ [21p-B203-8] MgO 基板と格子整合する MgO-NiO-ZnO 混晶半導体

〇飯田 真太郎¹、池之上 卓己¹、三宅 正男¹、平藤 哲司¹ (1.京大院エネ科)

キーワード：MgO-NiO-ZnO、岩塩構造、ミストCVD

深紫外発光やパワーデバイスに不可欠な大きなバンドギャップを有しつつ、基板との格子不整合のない新たなワイドバンドギャップ半導体としてMgO-NiO-ZnO混晶半導体を提案する。3.8 eV のバンドギャップを有するNiOに、7.8 eV のバンドギャップを持つMgOだけでなく、通常はウルツ鉱型のZnOを加えたMgO-NiO-ZnOは、従来のAlN-GaN-InNなどとは異なり、格子整合したまま広い範囲でバンドギャップを制御可能となる。そこでミストCVD法を用いて様々な組成のMgO-NiO-ZnO薄膜を作製した。