[21p-B203-1~20] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

△ [21p-B203-8] MgO-NiO-ZnO alloy semiconductor lattice-matched with MgO substrate

〇Shintarou Iida¹, Takumi Ikenoue¹, Masao Miyake¹, Tetsuji Hirato¹ (1.Kyoto Univ.)

Keywords:MgO-NiO-ZnO, Rock salt structure, Mist CVD method

深紫外発光やパワーデバイスに不可欠な大きなバンドギャップを有しつつ、基板との格子不整合のない新たなワイドバンドギャップ半導体としてMgO-NiO-ZnO混晶半導体を提案する。3.8 eV のバンドギャップを有するNiOに、7.8 eV のバンドギャップを持つMgOだけでなく、通常はウルツ鉱型のZnOを加えたMgO-NiO-ZnOは、従来のAlN-GaN-InNなどとは異なり、格子整合したまま広い範囲でバンドギャップを制御可能となる。そこでミストCVD法を用いて様々な組成のMgO-NiO-ZnO薄膜を作製した。