[21p-B204-1~17] 6.3 Oxide electronics

[21p-B204-2] Mist CVD growth of VO₂ thin films on m-plane sapphire substrates method and structural transition

〇(M1)Kazuki Ushioda¹, Naoki Matsuura¹, Osamu Kubo¹, Hiroshi Tabata¹, Mitsuhiro Katayama¹ (1.Grad. Sch. Eng)

Keywords:vanadium dioxide, mist CVD method, m-plane sapphire substrate

VO₂は、68℃で金属-絶縁体転移（MIT転移）を伴う構造変化を示す。VO₂膜は最近ミストCVD作製法が報告された。先行研究よりミストCVD法でr面サファイア基板上にVO₂膜を作製した例とマグネトロンスパッタ法でサファイア基板上に成膜したVO₂膜では、m面上が最も優れたMIT転移を示した報告もある。本発表ではm面上にミストCVD法で成長させたVO₂薄膜の面方位、構造転移について報告する。