[21p-B204-1~17] 6.3 Oxide electronics

[21p-B204-8] Local electronic properties on N-type β-Ga₂O₃ crystals in contact with Multilayer electrode film by micro-Raman spectroscopy at high temperature

〇Ryoya Kakamu¹, Jun Suda¹ (1.Chukyo Univ.)

Keywords:Widegap semiconductor, Micro-Raman spectroscopy, Electronic properties

β-Ga₂O₃デバイスには、大きなバンドギャップなどの大きな可能性があり、最近注目されている。電気自動車のPCUにおいてパワー半導体素子が使われており、約200℃の高温動作が求められており、電極界面の電子物性を知る必要がある。本研究では、高温領域の多層電極付n型β-Ga₂O₃の電極界面におけるラマンスペクトルより、高温電子物性を求めた。電極遠方と近傍の電子密度を求めた結果、異なることがわかった。