[21p-B204-1~17] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[21p-B204-8] 顕微ラマン分光法による多層電極付n型β-Ga₂O₃結晶の高温電子物性

〇各務 良哉¹、須田 潤¹ (1.中京大工)

キーワード：ワイドギャップ半導体、顕微ラマン分光法、電子物性

β-Ga₂O₃デバイスには、大きなバンドギャップなどの大きな可能性があり、最近注目されている。電気自動車のPCUにおいてパワー半導体素子が使われており、約200℃の高温動作が求められており、電極界面の電子物性を知る必要がある。本研究では、高温領域の多層電極付n型β-Ga₂O₃の電極界面におけるラマンスペクトルより、高温電子物性を求めた。電極遠方と近傍の電子密度を求めた結果、異なることがわかった。