[21p-C105-1~11] 13.5 デバイス／配線／集積化技術

[21p-C105-1] 表面ラフネス散乱の非線形モデルにより決定されたSi nMOSFETの電子移動度の極低温下での妥当性

〇隅田 圭¹、姜 旼秀¹、トープラサートポン カシディット¹、竹中 充¹、高木 信一¹ (1.東大院工)

キーワード：半導体、MOSFET、移動度

表面ラフネス(SR)散乱は将来のナノシート構造、及び極低温下のMOSFETにおいて支配的な散乱機構である。近年、我々はSR散乱の強い非線形的な摂動を考慮した移動度モデルを提案した。しかしながら、我々の非線形モデルの妥当性は極低温下においては未だ明らかではない。従って、本研究ではSi nMOSFETの電子移動度を実験と非線形モデルの両面から評価し、4重縮退のΔ₄谷における実験的な移動度が理論よりも極めて小さいこと、及び移動度の劣化が局在的なtail statesに起因する可能性を見出したので、これを報告する。