[21p-C105-1~11] 13.5 Semiconductor devices/ Interconnect/ Integration technologies

△ [21p-C105-2] Orientation Dependence of Effective Electron Mobility in Cryogenic MOSFET

〇Hiroshi Oka¹, Takumi Inaba¹, Shota Iizuka¹, Hidehiro Asai¹, Kouichi Fukuda¹, Kimihiko Kato¹, Takahiro Mori¹ (1.AIST)

Keywords:Electron mobility, Cryogenic, Coulomb scattering

極低温動作MOSFETでは様々なデバイスパラメータが従来の理論式や経験式から逸脱するため，その物理的理解が進められている．低温での移動度は，クーロン散乱と表面ラフネス散乱に制限される．クーロン散乱移動度の温度依存性は複雑であり，特に極低温下で生じるクーロン散乱の起源を検証した例は限定的である．本研究では面方位の異なる極低温動作MOSFETを用いて，界面欠陥が極低温下で電子移動度に与える影響を調べた．