Highly-asymmetric-strain (110) SiGe-on-insulator pMOSFETs with extremely-thin body channels down to 3.2 nm fabricated by using Ge condensation technique

講演情報

一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.5 デバイス／配線／集積化技術

2022年9月21日(水) 13:30 〜 16:30 C105 (C105)

矢嶋赳彬(九大)、森貴洋(産総研)

15:30 〜 15:45

〇CHIATSONG CHEN¹、Xueyang Han¹、Kasidit Toprasertpong¹、Mitsuru Takenaka¹、Shinichi Takagi¹ (1.Univ. of Tokyo)

キーワード：SGOI, extremely-thin body, asymmetric strain