[21p-C201-1~11] 6.6 プローブ顕微鏡

[21p-C201-9] 表面活性化接合法で作製したn-Si/n-Siおよびp-Si/p-Si接合の二重バイアス変調静電引力顕微鏡による評価

〇小林 大地¹、梁 剣波³、重川 直輝³、高橋 琢二^1,2 (1.東大生研、2.東大ナノ量子機構、3.大阪公大工)

キーワード：静電引力顕微鏡、表面活性化接合法