[21p-C301-1~10] 3.12 半導体光デバイス（旧3.13）

△ [21p-C301-2] 近赤外域透明導電性酸化膜電極を用いたGeショットキーフォトダイオードの光応答特性

〇(DC)石井 寛仁^1,2、張 文馨²、石井 裕之²、鯉田 崇²、藤代 博記¹、前田 辰郎^1,2 (1.東理大、2.産総研)

キーワード：ゲルマニウム、フォトダイオード、TCO

Geは近赤外域に対して高い吸収係数を有していること、Si CMOSプロセスとの高い互換性から、Siフォトニクスにおける近赤外検出器として広く使用されている。特に、Geショットキーフォトダイオードは、高い光応答速度が期待される。しかしながら、従来の金属-半導体のショットキーフォトダイオードでは、金属が光の大部分を反射するため感度の低下は避けられない。近年、我々は近赤外域で透明な電極としてCeおよびHをドープしたIn₂O₃透明導電酸化膜 (TCO: Transparent Conductive Oxide)を開発し、太陽電池やFETなどでその有効性を検証してきた。本研究では、表面照射型TCO/Geショットキーフォトダイオードを作製し、TCO電極を透過した近赤外域光による光応答について検討したので報告する。