[21p-M206-1~9] ワイドバンドギャップ半導体MOS界面科学の最前線

[21p-M206-2] SiCパワーMOSFETの課題とMOS界面高品質化の進展

〇木本 恒暢¹、立木 馨大¹、伊藤 滉二¹、三上 杏太¹、金子 光顕¹ (1.京大工)

キーワード：SiC、パワーMOSFET、チャネル移動度

SiCパワーMOSFETの実用化が進み，各種機器で顕著な省エネ効果が示されている。しかしながら，ゲート電圧で誘起された反転層キャリアの多くが界面欠陥に捕獲されて不動になり，かつHall効果によって得られる反転層キャリアのドリフト移動度が比較的低いという問題を解決するためには，学理に立ち戻った研究が必須である。本講演では，SiCパワーMOSFETの進展を概説した後，SiC MOS界面高品質化やMOSFET高性能化に関する最近の取り組みについて紹介する。