[21p-M206-1~9] Forefront of interface science and technology of wide bandgap semiconductor MOS devices

[21p-M206-4] Interface control of GaN MOS structures for power transistors

〇Tamotsu Hashizume¹, Masamichi Akazawa¹ (1.Hokkaido Univ.)

Keywords:GaN, MOS, interface

この数年の研究によりGaN MOS界面の制御が大幅に向上し、SiO₂膜とAl₂O₃膜を利用したGaN MOS構造では10¹¹ cm^-2eV^-1以下の低い界面準位密度を達成しており、パワースイッチングFETに適用され、SiC-MOSFETに匹敵する低ON抵抗が報告されている。また、大電力動作時のHEMT安定動作にはMISゲート構造が望ましく、その場合、g_m低下を防ぐために薄く、かつ、高い誘電率の絶縁膜を利用したい。本講演では、GaN MOS界面制御の最新動向と、HEMTへの絶縁ゲート構造の適用に対する課題点を説明する。