[21p-M206-1~9] ワイドバンドギャップ半導体MOS界面科学の最前線

[21p-M206-6] 計算科学で見るワイドギャップ半導体MOSFET界面

〇白石 賢二¹、押山 淳¹ (1.名大未来研)

キーワード：GaN、SiC、MOSFET界面

SiCやGaNに代表されるワイドギャップ半導体のMOSFET界面はパワーデバイスの性能に直結するため非常に大きな関心が寄せられている。しかし、Siテクノロジーで利用されるSi/SiO₂界面が極めて良好であるのに対して、SiC/SiO₂界面やGaN/SiO₂界面は欠陥準位密度低減等未だ多くの課題が残されている。本講演ではSiC/SiO₂界面とGaN/SiO₂界面の特徴について計算科学の視点から議論する。