[21p-M206-1~9] ワイドバンドギャップ半導体MOS界面科学の最前線

[21p-M206-8] 1 kV耐圧 窒素、シリコン、ダブルイオン注入β-Ga₂O₃ MOSトランジスタ

〇宮本 広信¹、小石川 結樹¹、脇本 大樹¹、佐々木 公平¹、倉又 朗人¹ (1.ノベルクリスタルテクノロジー)

キーワード：酸化ガリウム、トレンジスタ、耐圧

電流ブロック領域とチャネル領域に窒素イオン注入、ソース領域にSiイオン注入を行った反転型Double-implanted Ga₂O₃ MOSトランジスタを作製し、トランジスタ特性の窒素イオン注入濃度(1, 3, 6×10¹⁸ cm^-3)依存性を調べた。窒素イオン注入濃度の増加により、しきい値電圧は6.6 Vから8.5 Vに上昇し、電流ブロック効果は向上して耐圧は258 Vから1080 Vまで増加した。