16:50 〜 17:05 [21p-M206-8] 1 kV耐圧 窒素、シリコン、ダブルイオン注入β-Ga2O3 MOSトランジスタ 〇宮本 広信1、小石川 結樹1、脇本 大樹1、佐々木 公平1、倉又 朗人1 (1.ノベルクリスタルテクノロジー)