[21p-M206-1~9] ワイドバンドギャップ半導体MOS界面科学の最前線

[21p-M206-9] ダイヤモンドMOS界面の原子レベル制御 - 反転層ダイヤモンドMOSFETの実現に向けて -

〇徳田 規夫¹ (1.金沢大)

キーワード：半導体、ダイヤモンド、界面

ダイヤモンドは、極めて高い電子及び正孔の移動度、熱伝導率、そして絶縁破壊電界を持つことから、次々世代パワー半導体材料として期待されている。我々は、成長及びエッチングプロセスによるダイヤモンド表面の原子レベル制御、そしてALD-Al₂O₃プロセスと親和性の高いOH終端構造制御を開発し、高品質なAl₂O₃/ダイヤモンド界面の実現、そして2016年に反転層ダイヤモンドMOSFETの開発に世界で初めて成功した。本講演では、反転層ダイヤモンドMOSFET実現のキー技術の紹介と更なる性能向上に向けたダイヤモンドMOS界面に関する研究開発状況について紹介する。