[21p-P09-1~10] 9.4 熱電変換

[21p-P09-2] キャリア濃度を変化させたSi単結晶のフォノン平均自由行程の評価とフォノンドラッグ効果が寄与するゼーベック係数の導出

〇長谷 匡高¹、谷澤 大樹¹、工藤 直人²、永田 將²、西 剛史²、三宅 修吾³、高尻 雅之¹ (1.東海大学院工、2.茨城大学院理工、3.神戸高専)

キーワード：Si、フォノンドラッグ効果、フォノン平均自由行程

本研究ではキャリア濃度の異なるSi単結晶においてナノインデンテーション法を用いてフォノン平均自由行程(MFP)の導出を行い、フォノンドラッグ効果に起因したゼーベック係数S_pを評価した。一般にS_pはキャリア濃度が低いほど増加するが、本結果では理論的な挙動と逆の挙動を示した。これは本研究のMFPが短波長フォノンに依存しやすいことが原因であり、この減少に伴ってフォノンドラッグ効果の影響が向上する可能性が示唆される。