[21p-P12-1~54] 17 ナノカーボン(ポスター)

[21p-P12-47] 二次元WO_xをトラップ層とするMoS₂電荷トラップメモリの作製

〇(M1)野村 尚哉¹、稲田 貢¹、上野 啓司²、山本 真人¹ (1.関西大院理工、2.埼玉大院理工)

キーワード：二次元半導体、二硫化モリブデン、電荷トラップメモリ

本研究では、MoS₂原子層と高密度電荷トラップとして機能する二次元酸化タングステン(WO_x)とをファンデルワールス積層させることで、高性能電荷トラップメモリを作製した。二次元WO_xと積層させたMoS₂ FETはドレイン電流―ゲート電圧特性においてヒステリシスを示し、さらに多値動作をすることが分かった。