[21p-P12-1~54] 17 ナノカーボン(ポスター)

[21p-P12-48] コンタクト抵抗の低減および分子ドーピングによる単層MoS₂ガスセンサのNO₂光活性化応答特性の改善の試み

奥野 寛照¹、後藤 大志²、〇田畑 博史²、久保 理²、片山 光浩² (1.阪大工、2.阪大院工)

キーワード：ガスセンサ、NO2、MoS2

IoT用途のガスセンサには、低消費電力性能が不可欠であり、可視光照射下で室温動作が可能な単層MoS₂を用いた光活性化型ガスセンサはその有望な候補である。本研究では、Bi電極によるコンタクト抵抗の低減および分子ドーピングによるキャリア密度増加がこのMoS2-FETガスセンサの光活性化応答特性にどのような影響をおよぼすかについて報告する。