[21p-P12-1~54] 17 Nanocarbon Technology(Poster)

[21p-P12-48] Attempt to Improve Photoactivated Response Characteristics of Gas Sensor Based on Monolayer MoS₂ to NO₂ by Reducing Contact Resistance and Molecular Doping

Hiroaki Okuno¹, Taishi Goto², 〇Hiroshi Tabata², Osamu Kubo², Mitsuhiro Katayama² (1.Eng. Osaka Univ., 2.Grad. Sch. Eng., Osaka Univ.)

Keywords:gas sensor, NO2, MoS2

IoT用途のガスセンサには、低消費電力性能が不可欠であり、可視光照射下で室温動作が可能な単層MoS₂を用いた光活性化型ガスセンサはその有望な候補である。本研究では、Bi電極によるコンタクト抵抗の低減および分子ドーピングによるキャリア密度増加がこのMoS2-FETガスセンサの光活性化応答特性にどのような影響をおよぼすかについて報告する。