[21p-P12-1~54] 17 Nanocarbon Technology(Poster)

[21p-P12-52] Passivation of Black Phosphorous via the HMDS Treatment

〇(M1)Taichi Oda¹, Mitsuru Inada¹, Mahito Yamamoto¹ (1.Kansai Univ.)

Keywords:Black phosphorous, 2D semiconductors, field effect transistor

本研究では、Siウェハーの疎水化において一般的に利用されるヘキサメチルジシラザン(HMDS)を用いて、黒リンの表面安定化を試みた。​その結果、HMDS表面処理した黒リンFETにおいて、10日間以上の大気曝露後でも4桁のオン・オフ比と100 cm²/V∙sを越える移動度が保たれていることが分かった。