[21p-P12-1~54] 17 Nanocarbon Technology(Poster)

[21p-P12-53] Mimicking Synaptic Behaviors in 2D WSe₂-Based Charge Trap Memory

〇(M1)Kaiji Kushihara¹, Mitsuru Inada¹, Takashi Taniguchi², Kenji Watanabe², Keiji Ueno³, Mahito Yamammoto¹ (1.Kansai Univ, 2.NIMS, 3.Sairtama Univ)

Keywords:2D semiconductors, Transition metal dichalcogenides, Synaptic device

本研究では表面に極薄酸化膜を有する二次元WSe₂を用いて電荷トラップメモリを作製し、そのドレイン電流値の可塑性(シナプス特性)について評価した。作製した二次元WSe₂電荷トラップメモリのドレイン電流値は、印可するゲート電圧の最大値に対して多段階的に変化し多値性を示すことが分かった。さらに、ドレイン電流がゲート電圧パルスの印可数に対して可塑的に増加・減少することも分かった。