[21p-P12-1~54] 17 ナノカーボン(ポスター)

[21p-P12-52] HMDS処理による黒リンの表面安定化の検討

〇(M1)小田 太一¹、稲田 貢¹、山本 真人¹ (1.関西大院理工)

キーワード：黒リン、二次元半導体、電界効果トランジスタ

本研究では、Siウェハーの疎水化において一般的に利用されるヘキサメチルジシラザン(HMDS)を用いて、黒リンの表面安定化を試みた。​その結果、HMDS表面処理した黒リンFETにおいて、10日間以上の大気曝露後でも4桁のオン・オフ比と100 cm²/V∙sを越える移動度が保たれていることが分かった。