[21p-P13-1~6] FS.1 フォーカストセッション「AIエレクトロニクス」

[21p-P13-2] NiOを用いたクロスバー型抵抗変化型メモリが示す量子化コンダクタンス

〇(M1)高木 陸¹、長谷川 剛¹ (1.早大先進理工)

キーワード：抵抗変化型メモリ、量子化コンダクタンス

近年、抵抗変化型メモリReRAMは次世代の不揮発性メモリとして大きな注目を集めている。先行研究ではNiO膜表面にプローブを接触させた擬似的な素子構造を用いたが、本研究ではクロスバー構造のNiO素子を用いた。上部電極の材質や膜厚などを変数として動作特性の評価を行った。また磁性材料であるNiによって磁場強度に依存した量子化コンダクタンスの観測が確認された。