[21p-P16-1~15] 6.4 薄膜新材料

[21p-P16-2] UHVスパッタエピタキシー法によるZnSnN₂層の成長（II）

〇水内 颯太郎¹、吉田 圭佑¹、篠田 宏之¹、六倉 信喜¹ (1.東京電機大工)

キーワード：スパッタ、窒化亜鉛スズ、三元系窒化物

II-IV-V₂族窒化物半導体は，GaNやInNのバンドギャップに近似させることが可能であり，希少金属のGaやInに比べてZnやSn等が豊富に存在するため安価に合成することができる．そのため，太陽電池等に用いられる新たな材料として期待されている．今回，超高真空（UHV）高周波マグネトロンスパッタリング法を用いてZnSnN₂層の成長を行い，比較的高い基板温度領域にて成長を行い，ガス圧力や投入電力を変化させた際の影響について検討を行った．