[22a-A102-1~11] 13.5 Semiconductor devices/ Interconnect/ Integration technologies

[22a-A102-2] Direct observation of electron capture processes in amphoteric defect states achieved by charge pumping in individual defects at MOS interface (5) -Discrimination between Type 4 & 5-

〇Toshiaki Tsuchiya¹, Masahiro Hori¹, Yukinori Ono¹ (1.Shizuoka Univ.)

Keywords:single interface defect, amphoteric states, electron capture processes

タイプ4とタイプ5の欠陥は，共にfq（f:ゲートパルス周波数，q:電気素量）のCP電流を示し，かつ，CP電流にゲートパルス立上り時間依存性や立下り時間依存性が無いという共通した特徴を有しているため識別が困難であった．しかし，これまで報告してきた結果に基づいて，伝導帯電子の捕獲時定数の違いからこれらの欠陥の識別が可能になったことを示す．