[22a-A102-1~11] 13.5 デバイス／配線／集積化技術

△ [22a-A102-5] pMOSシリコン量子ドットにおける電荷ノイズの温度依存性評価

〇中越 一真¹、土屋 龍太²、峰 利之²、久元 大²、水野 弘之²、溝口 来成¹、米田 淳¹、小寺 哲夫¹ (1.東工大、2.日立研開)

キーワード：シリコン量子ドット、量子ビット、電荷ノイズ

シリコン量子ドットに生じる電荷ノイズを理解することは、量子ビットの操作精度向上に繋がる重要課題である。本研究では、pMOSシリコン量子ドットにおいて生じる電荷ノイズの温度依存性を極低温環境下で評価した。数十Hz付近で生じたローレンツ型ノイズは顕著な温度依存性を示し、アレニウスの関係式よりこの特性を説明できることが分かった。講演では、温度依存性の解析から得られる電荷ノイズの微視的機構についても議論する。