The 83rd JSAP Autumn Meeting 2022

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Oral presentation

16 Amorphous and Microcrystalline Materials » 16.1 Fundamental properties, evaluation, process and devices in disordered materials

[22a-A301-1~9] 16.1 Fundamental properties, evaluation, process and devices in disordered materials

Thu. Sep 22, 2022 9:00 AM - 11:15 AM A301 (A301)

Kenji Shinozaki(AIST)

9:30 AM - 9:45 AM

[22a-A301-3] Observation of Fermi-edge singularity in degenerated Ga-doped ZnO nano-films

Aika Tashiro1, Yutaka Adachi2, Takashi Uchino1 (1.Kobe Univ., 2.NIMS)

Keywords:degenerated semiconductor, zinc oxide, photoluminescence

Mott密度以上のキャリア濃度を有する半導体では,フェルミエッジ付近の異常吸収とそれに伴うMahan励起子生成の存在が提唱されている。本研究では,Mott密度以上のn型ドープZnO:Gaナノ薄膜について光学測定を行った。光吸収測定より,200 K以下の温度域で3.38 eV付近に異常吸収が現れることを確認した。さらに,発光励起スペクトルにおいても,低温域で同様の異常吸収を観測した。これはフェルミエッジ付近におけるMahan励起子の生成を示唆する。