[22a-A301-1~9] 16.1 基礎物性・評価・プロセス・デバイス

△ [22a-A301-3] 縮退GaドープZnOナノ薄膜のフェルミエッジ異常の観察

〇田代 愛佳¹、安達 裕²、内野 隆司¹ (1.神戸大理、2.物材機構)

キーワード：縮退半導体、酸化亜鉛、フォトルミネセンス

Mott密度以上のキャリア濃度を有する半導体では，フェルミエッジ付近の異常吸収とそれに伴うMahan励起子生成の存在が提唱されている。本研究では，Mott密度以上のn型ドープZnO:Gaナノ薄膜について光学測定を行った。光吸収測定より，200 K以下の温度域で3.38 eV付近に異常吸収が現れることを確認した。さらに，発光励起スペクトルにおいても，低温域で同様の異常吸収を観測した。これはフェルミエッジ付近におけるMahan励起子の生成を示唆する。