2022年第83回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.9 化合物太陽電池

[22a-A307-1~7] 13.9 化合物太陽電池

2022年9月22日(木) 09:00 〜 10:45 A307 (A307)

渡辺 健太郎(東大)

09:45 〜 10:00

[22a-A307-4] 常温接合法を用いた同一極性基板の評価

〇(M1)西舘 優太1、久恒 圭人1、内田 史朗1 (1.千葉工大)

キーワード:常温接合

同極性基板を用いた室温接合において,接合界面抵抗を低減するために高速電子ビーム(FAB)の照射条件を変化させながら検討した。本研究では、真空度は7.5×10-6 Pa、FAB照射角度は45°に固定した。その他のFAB照射条件(印加電圧、照射時間)を変化させ、接合実験を行い、試料の電気特性を評価した。その結果、すべての試料が非直線形ショットキーI-V曲線を示した。しかし,FABの印加電圧が最も高く,照射時間が最も長い条件(1.0 kV, 6 min)では,I-V特性はオーミック的な線形性を示し,接合抵抗は最も低くなった。