[22a-B102-1~6] 15.2 II-VI and related compounds

△ [22a-B102-2] Introduction of multi-cycle nucleation process for high quality ZnTe (110) thin film on sapphire substrate

〇(M2)Shotaro Kobayashi¹, Hayato Kawashima¹, Kota Sugimoto¹, Nan Su¹, Masakazu Kobayashi^1,2 (1.Waseda Univ. Dept.of.EE.&BS, 2.Waseda Univ. Lab.for Mat.Sci.&Tech.)

Keywords:molecular beam epitaxy, nanofacet, ZnTe

テラヘルツ波検出素子応用に向け、MBE法によってサファイアr,S面ナノファセット基板上に(110)配向ZnTe薄膜の作製している。今回は、従来の核形成プロセスである、バッファ層堆積、高温アニール、MEE成長の3つの過程を複数回繰り返すことで成長核密度を増加させることを試みた。成長核の状態は、表面SEMによって観察し、膜成長層の結晶性についてはX線回折法(θ-2θ法、極点図法)で評価した。