The 83rd JSAP Autumn Meeting 2022

Presentation information

Oral presentation

15 Crystal Engineering » 15.2 II-VI and related compounds

[22a-B102-1~6] 15.2 II-VI and related compounds

Thu. Sep 22, 2022 9:00 AM - 10:30 AM B102 (B102)

Kazuyuki Uno(Wakayama Univ.)

9:30 AM - 9:45 AM

[22a-B102-3] Improvement of the crystallinity and surface morphology of MBE grown SnTe films by introducing the ZnTe buffer layer

〇(M2)Nan Su1, Shotaro Kobayashi1, Masakazu Kobayashi1,2 (1.Waseda Univ. Dept. of EE. & BS., 2.Waseda Univ. Inst. for Mat. Sci.& Tech.)

Keywords:molecular beam epitaxy, SnTe, X-ray diffraction

本研究では、結晶性の改善のためGaAs 基板上にバッファ層を成長し、その上にSnTe層を作製することを検討した。GaAsとSnTeの格子定数の中間にあり、Te系材料ということで今回はZnTeをバッファ層材料とすることとした。